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AP9970GK-HF

Descrição:
, TRANSISTOR, 5.8A I(D), 60V, 0.05OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223

Fabricante:
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Peso:
0,5kg

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, transistor, 5.8a i(d), 60v, 0.05ohm, 1-element, n-channel, silicon, metal-oxide semiconductor fet, sot-223

, power mosfet, fast switching, p-channel enhancement mode, to-252(h) package

p-channel enhancement mode power mosfet; unipolar; -30v; -14a; 2.5w; so8

8 pin surface mount, low on-resistance, simple drive requirement, dual n mosfet package, rohs compliant

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